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封裝
T1
T1D
T2
反向重復峰值電壓VRRM (V)
800
1200
1600
1800
2200
正向平均電流IF（AV )@TC (V) (A)
25
40
60
90
110
130
160
200
浪涌電流IFSM10ms (A)
550
1000
1500
2000
2250
4700
5400
5500
反向重復峰值電流IRRM150℃ (mA)
10
15
20
40
50
通態壓降@通態電流VTM@IT (V)
1.65
1.68
1.75
1.8
1.95
通態壓降@通態電流VTM@IT (A)
75
200
300
500
觸發電流IGT(mA)
150
200
觸發電壓VGT(V)
2.5
3
結-殼熱阻Rth(j-c) (℃/W)
0.08
0.085
0.09
0.14
0.16
0.29
0.33
0.45
重置
型號
規格書
正向重復峰值電壓/反向重復峰值電壓VDRM / VRRM (V)
通態平均電流ITAV@TC=85℃(A)
通態浪涌電流ITSM 10ms(A)
正向重復峰值電流/反向重復峰值電流IDRM / IRRM 125℃(mA)
通態壓降@通態電流VTM@IT (V)
通態壓降@通態電流VTM@IT (A)
最觸發電流IGT (mA)
觸發電壓VGT(V)
結-殼熱阻Rth(j-c) (℃/W)
封裝
產品狀態
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